工程文件链接地址:
http://dev.idste.org:3280/svn/manufactory/生产指导书/经验总结/IC烧录/W25Q40.rar
若要制作W25Q40芯片的工程文件可按如下方式进行制作工程文件:
SmartPRO编程器使用
Body选择:
Body:7mm-7mm pitch:1.27mm
工程文件链接地址:
http://dev.idste.org:3280/svn/manufactory/生产指导书/经验总结/IC烧录/字库.rar
若要制作SST25VF016B芯片的工程文件可按如下方式进行制作工程文件:
SmartPRO编程器使用
Body选择:
Body:8.1mm-5.38mm pitch:1.27mm
注意:烧录前请下载最新版固件包,并解压到指定文件夹
Body选择:
Body:12mm-18.4mm pitch:0.5mm
A.打开软件,点选择芯片,器件名称输入“NAND128W3A2BN6”
D.对第一行中间列鼠标双击,在弹出的界面进行文件选择,在刚解压的文件夹中选择“kickstar_and_uboot.bin”,然后点击打开按钮。如下图所示:
E.弹出的界面备用区数据选择“文件区自带备用数据”。点击确定退出。如下图所示:
F.对第二行中间列鼠标双击,在弹出的界面进行文件选择,先选择文件类型为“All files”在刚解压的文件夹中选择“uImage”,然后点击打开按钮。如下图所示:
G.弹出的界面备用区数据选择“填充ECC”ECC算法类型选择“Linux Default MTD ECC”。点击确定退出。如下图所示:
H.对第三行中间鼠标双击,在弹出的界面进行文件选择,先选择文件类型为“All files”在刚解压的文件夹中选择“rootfs.yaffs”,然后点击打开按钮。如下图所示:
I.弹出的界面备用区数据选择“Yaffs2”ECC算法类型选择“Linux Default MTD ECC”。点击确定退出。如下图所示:
J.对第四行中间鼠标双击,在弹出的界面进行文件选择,先选择文件类型为“All files”在选择“lpc3250_App.yaffs”,然后点击打开按钮。
K.弹出的界面备用区数据选择“Yaffs2”ECC算法类型选择“Linux Default MTD ECC”。点击确定退出。如下图所示:
采用手持烧录器烧录:程序代码64
可参照:单板程序烧录操作指导书
原始文件链接地址:http://dev.idste.org:3280/svn/manufactory/生产指导书/经验总结/IC烧录/J板-KC-601
采用手持烧录器烧录:
可参照:单板程序烧录操作指导书
Body:LQFP-64-0.5mm
原始文件链接地址:
http://dev.idste.org:3280/svn/manufactory/生产指导书/经验总结/IC烧录/M板-KC-606
http://dev.idste.org:3280/svn/manufactory/生产指导书/经验总结/IC烧录/N板
A.连接好烧录器,并通电,然后打开要烧录的工程文件
B.按下座子,放置芯片,盖上座子,芯片开始烧录
C.烧录成功后,更换芯片,继续烧录
采用手持烧录器烧录:程序代码39
可参照: 单板程序烧录操作指导书
Body:LQFP-64-0.5mm
原始文件链接地址:http://dev.idste.org:3280/svn/manufactory/生产指导书/经验总结/IC烧录/按键面板D和D1板
A.连接好烧录器,并通电,然后打开要烧录的工程文件
B.按下座子,放置芯片,盖上座子,芯片开始烧录
C.烧录成功后,更换芯片,继续烧录
采用手持烧录器烧录:程序代码59
可参照:单板程序烧录操作指导书
Body:LQFP-64-0.5mm
原始文件链接地址:http://dev.idste.org:3280/svn/manufactory/生产指导书/经验总结/IC烧录/显示板H1和H3
A.连接好烧录器,并通电,然后打开要烧录的工程文件
B.按下座子,放置芯片,盖上座子,芯片开始烧录
C.烧录成功后,更换芯片,继续烧录